集邦咨询LED研究中心（LEDinside）近期报告3Q17MicroLED次世代表明技术-MicroLED移往技术与检测修理技术分析报告回应，MicroLED制程中，巨量移往是一关键性制程，如何较慢且精准的将MicroLED移往至目标，UPH（UnitPerHour）及良率的提高将是首要希望的课题方向之一。MicroLED移往技术分析MicroLED技术，目前面对相当多的技术挑战，LEDinside研究副理杨富宝回应,MicroLED制程总计四大关键技术，移往技术是目前最艰难的关键制程之一，其他还包括电路驱动设计、色彩切换方式、检测设备及方法、晶圆波长的均匀度掌控等，也都是有待突破的技术瓶颈。MicroLED生产成本居高不下，原因在于涉及移往技术瓶颈仍待突破，区分为以下七大要素，如生产设备精密度的拒绝、制程良率的提高、生产量速度（UPH：UnitPerHour）的效率提高、制程能力的掌控、生产方式之最佳化确认、检测设备及仪器的准确稳定性、坏点修理方式、制程加工成本的减少...等。由于牵涉到的产业跨越LED、半导体、面板上下游供应链，还包括芯片、机台、材料、检测设备等都与过去的规格相同，提升了技术的门槛，而异业间的交流统合也减少了研发时程。

(图：LEDinside整理)LEDinside以工业制程六个标准差当作MicroLED量产可行性评估依据。移往制程良率需超过四个标准差等级，才有机会产品商品化但加工及修理成本依然很高，若要超过成熟期的产品及具备竞争性的加工成本，其移往良率最少要超过五个标准差以上，才能确实沦为成熟期的商品化产品。

MicroLED量产可行性评估一般传统的LED例如3030的PCB体其光源尺寸3,000μm，亦可由SMT设备才可超过移往之起到，当光源尺寸在100μm时也可借由固晶机（DieBonder）设备超过芯片移往，当光源尺寸大大的增大至10μm时，现状的移往（PickPlace）设备其精密度及准确度将面对相当严重考验。MicroLED制程的设备的精密度须要大于±1.5μm才能准确的移往至目标背板，目前现况移往设备（PickPlace）的精密度是±34μm（Multi-chipperTransfer），覆晶固晶机（FlipChipBonder）的精密度是±1.5μm（每次移转为单一芯片），均无法超过MicroLED巨量移往的精密度规格市场需求。芯片级銲接（ChipBonding）及外延级焊（WaferBonding）由于生产能力过较低及工时成本过低，在巨量移往上将无法应用于上，但WaferBonding（外延级焊）现状的应用于是因为以现有机台来研发MicroLED技术及研发像素数量（PixelVolume）较小的产品，但生产能力及工时成本均是挑战，未来移往技术将是以薄膜移往（ThinFilmTransfer）的各种技术居多。

五大薄膜移往技术包括静电导电、凡得瓦力蚀刻、雷射激光激光、互为变化移往、流体组装。流体装配方式是一种高速度的装配技术，对各式之产品应用于均有较高的产出量（UPH），可以大幅削减装配工时及成本。

移往技术的自由选择需视有所不同之应用于产品要求，最主要是考量设备投资、产出量（UPH）及加工成本等因素，另外各厂家之制程能力及良率的掌控，可视作产品发展不顺的关键因素。以现况来说室内显示屏、智慧手表、智慧手环的应用于，将不会是首先构建MicroLED的产品，由于移往技术的艰难度甚低及各应用于产品的像素数量(PixelVolume)的有所不同，投放的厂商再行以既有的外延焊接设备（WaferBonding）来做到研发及自由选择像素数量（PixelVolume）较较少之应用于产品为目标，以延长研发的时间，也有厂商必要朝向薄膜移往（ThinFilmTransfer）技术的方向发展，但因设备须要另外设计及调整，必须投放资源甚多及消耗更长的研发时间，也将不会产生更好的制程问题。

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